固体电子学研究与进展期刊
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固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
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2483
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  • 作者: 李永明 王海永 陈弘毅
    被引次数: 54
    发表期刊: 年2期
    摘要: 介绍了DC/DC开关稳压电源系统结构的设计,分析了提高电源转换效率的系统设计方法.提出了一种适于LSI实现的DC/DC开关稳压电源系统结构....
  • 作者: 秦世才 陈浩琼 高清运
    被引次数: 46
    发表期刊: 年4期
    摘要: 分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法.在此理论指导下,用0.25 μm CMOS工艺设计了一个带隙基准源,并制出芯片.基准电压的设计值为1.2 V,实测...
  • 作者: 王宗欣 王昕 袁晓军
    被引次数: 44
    发表期刊: 年4期
    摘要: 提出了一种计算圆形螺旋线圈自感和分布电容的方法.在元件尺寸小于波长的准静态近似情况下用Sommerfeld类型积分计算小段平面圆弧的自感和互感,然后用螺旋线方程对每一小段圆弧的自感和圆弧间的...
  • 作者: 刘帘曦 朱樟明 杨银堂
    被引次数: 41
    发表期刊: 年2期
    摘要: 利用根据负载电流的大小改变调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源,并采用二次集成的方式在芯片内部集成了功率p-MOSFET.当控制电压占空比小于20%时,采用PFM(P...
  • 作者: 任天令 朱钧 李春晓 邵天奇
    被引次数: 40
    发表期刊: 年3期
    摘要: 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一.它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性,可实现具有特殊性能...
  • 作者: 朱健
    被引次数: 40
    发表期刊: 年1期
    摘要: 介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through...
  • 作者: 前锋 曹金荣 朱建华 王保卫 王玉林 王祥邦 陈培杕
    被引次数: 39
    发表期刊: 年1期
    摘要: 简述声表面波射频识别无源标签的原理与特点,介绍了434 MHz和915 MHz标签的试验结果:工作频率915 MHz、434 MHz,码容量>1 000,读写距离0.5~5 m.讨论了声表面...
  • 作者: 于军 包大新 朱大中 陈文洪 颜冲
    被引次数: 38
    发表期刊: 年1期
    摘要: 自旋电子学是上世纪90年代以来飞速发展起来的新兴学科.与传统的半导体电子器件相比,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点.电子学、光学和磁学的融合发展更有望产生出自旋场效应晶体管、...
  • 作者: 严晓浪 何乐年 沈海斌 陆思安
    被引次数: 37
    发表期刊: 年2期
    摘要: 随着集成电路设计规模的不断增大.在芯片中特别是在系统芯片SOC(system on a chip)中嵌入大量存储器的设计方法正变得越来越重要.文中详细分析了嵌入式存储器内建自测试的实现原理,...
  • 作者: 李辉 陈效建
    被引次数: 36
    发表期刊: 年1期
    摘要: 用HP EESOF Series IV软件的负载牵引法对功率放大器进行分析,给出了匹配电路的基波特性及谐波特性对功率放大器性能的负载牵引结果,提出了功率放大器匹配电路谐波设计的思想,并给出了...
  • 作者: 宗祥福 张兆强 杨兴 邵丙铣 郑国祥 黄榕旭
    被引次数: 35
    发表期刊: 年4期
    摘要: 近几年来,随着VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术,受到人们的广泛关注.文中介绍了基本的铜互连布线技术,包括单、双镶嵌工艺,CMP工艺,低介电常数...
  • 作者: 俞军 华林 周晓方 朱珂 章倩苓
    被引次数: 34
    发表期刊: 年4期
    摘要: MQ编码器对于无损的数据压缩是一种非常有效的方法,它已被JPEG2000标准所采用.但该编码算法复杂度高,执行速度慢.文中提出了一种基于动态流水的高性能MQ编码器的VLSI结构.为了获得高速...
  • 作者: 曾晓洋 谢磊 邓焕 郭亚炜 金荣华 陈俊
    被引次数: 34
    发表期刊: 年3期
    摘要: 设计了一种应用于信息安全SoC平台的基于振荡器的高性能真随机数发生器,其利用放大的电阻热噪声来增大慢振荡器的抖动,使得前后两次采样相互独立,提高了序列的随机性能.采用T触发器采样消除快振荡器...
  • 作者: 张瑞智 王洪魁 袁小云
    被引次数: 33
    发表期刊: 年1期
    摘要: 设计了一种1.8 V、0.18 μm工艺的低噪声低功耗锁相环电路,其采用CSA(Current Steer Amplifier)架构的压控振荡器(VCO).整个电路功耗低,芯片面积为1 60...
  • 作者: 张波 李肇基 汪志刚 邓小川 陈万军
    被引次数: 33
    发表期刊: 年1期
    摘要: 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景.随着GaN技...
  • 作者: 朱轩昂 林金庭 陈效建
    被引次数: 32
    发表期刊: 年2期
    摘要: 报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在2.0~6.7 GHz频带上线性增益为17 dB,平坦度为±0.75 d...
  • 作者: 孙晓玮 林水洋
    被引次数: 32
    发表期刊: 年1期
    摘要: 60 GHz无线通信技术由于其超高速的数据传输能力,将成为第4代无线通信技术的代表,引发了学术界和工业界研究热潮.近几年,随着半导体技术的发展,基于不同工艺的60 GHz宽带无线通信射频芯片...
  • 作者: 李永明 路超
    被引次数: 28
    发表期刊: 年3期
    摘要: 给出了一种基于ISO/IEC14443-2标准的非接触式IC卡射频前端电路设计方案,详细叙述了典型模块的设计思路.本设计采用0.8 μm CMOS工艺流水,设计工作频率为13.56 MHz,...
  • 作者: 夏春晓 李芹 熊明珍 王志功
    被引次数: 28
    发表期刊: 年2期
    摘要: 从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9~14 GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2 μm GaAs PHEMT工艺(fT=60 ...
  • 作者: 来新泉 牟在鑫 王松林 王辉 郭宝龙
    被引次数: 28
    发表期刊: 年2期
    摘要: 同步整流降压型DC-DC工作在不连续电感电流模式(DCM)下会出现的电感电流倒灌现象,这种情况会使得整个系统处于一种超过放状态,从而使系统的效率大幅度地下降.针对这一问题,设计实现了一款电感...
  • 作者: 任迪远 余学锋 艾尔肯 郭旗 陆妩
    被引次数: 27
    发表期刊: 年4期
    摘要: 对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现...
  • 作者: 韩雁
    被引次数: 26
    发表期刊: 年3期
    摘要: 高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性.所谓高压功率集成电路(HV-PIC),是指将需承受高电压(需达数百伏)的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容,制作在同一块...
  • 作者: 刘新福 孙以材 孙冰 孟庆浩 高振斌
    被引次数: 26
    发表期刊: 年1期
    摘要: 用斜置的四探针方法,依靠显微镜观察,将针尖置于微区图形的四个角区,用改进的范德堡公式可以得到微区的薄层电阻.文中对测准条件作了分析.并用该仪器测定了硼扩散片的薄层电阻分布.在测试过程中应用微...
  • 作者: 来新泉 王松林 王留杰 田锦明
    被引次数: 26
    发表期刊: 年2期
    摘要: 结合一款升压型直流一直流变换器,介绍了峰值电流模式中的斜坡补偿基本原理,提出了一种分段线性斜坡补偿电路.该电路提供的补偿信号在不同占空比空间具有不同的斜率,减小了斜坡补偿对系统带载能力、瞬态...
  • 作者: 俞钢 曹镛 邓先宇
    被引次数: 25
    发表期刊: 年3期
    摘要: 综述了以共轭聚合物作为电子施主和C60及其衍生物作为电子受主的共混与多层器件结构的聚合物光诱导电荷转移光电池的研究进展.对这类新型结构的光电池的基本性能及机制作了介绍.低生产成本、能通过简单...
  • 作者: 周伟雄 李志坚 靳东明
    被引次数: 25
    发表期刊: 年3期
    摘要: 人工神经网络是现代信息处理领域的一个重要的方法.相对于软件实现,硬件实现方式能充分发挥神经网络并行处理的特点.用模拟电路实现神经网络电路形式简单、功耗低、速度快、占用芯片面积小,可以提高在神...
  • 作者: 俞大鹏 冯孙齐 向杰 贾圣果
    被引次数: 25
    发表期刊: 年4期
    摘要: 纳米带是继纳米线、纳米管之后,最新报道的又一种准一维纳米结构.文中介绍了Ga2O 3纳米带制备的新方法.这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同.用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物...
  • 作者: 周政海 楼向雄 邓先灿
    被引次数: 25
    发表期刊: 年4期
    摘要: 便携式电子设备对电源管理芯片的设计提出了新的挑战.文中采用新的设计方法和思路,设计了一个开关电源PWM DC/DC转换器芯片,启动电压最低至1 V,功率管开关频率高达600 kHz,采用PW...
  • 作者: 孙作治 杜鹏程 来新泉 解建章
    被引次数: 25
    发表期刊: 年3期
    摘要: 针对LDO稳压器的稳定性问题,设计了一种新颖的动态密勒补偿电路.与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能;同时将开环增益提高了30 dB左右,使LDO稳压器具有较高...
  • 作者: 朱大中 沈慧 郭维
    被引次数: 25
    发表期刊: 年3期
    摘要: 基于0.6 μm 5 V标准CMO S工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1 W大功率照明LED灯提供350 mA恒定的平均驱动电流.实现了在5 V电源电压有10%...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

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