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Investigation of Illumination Effects on the Electrical Properties of Au/GO/p-lnP Heterojunction with a Graphene Oxide Interlayer
Investigation of Illumination Effects on the Electrical Properties of Au/GO/p-lnP Heterojunction with a Graphene Oxide Interlayer
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摘要：
In this work,the electrical property of Au/graphene oxide/p-InP hetero-structure has been evaluated by 1-V and C-V measure-ments in dark and iluminated conditions(visible light).The diode exhibited significant rectifying behavior,thus indicating the heterojunction-lype diode.The key electrical parameters of heterojunction diode including ideality factor(n),series resistance(R),shunt resistance(Rsh),and barrier height(Фb)are estimated from I-V data based on the theory of thermionic emission.The modifed Norde and Cheung's methods were utilized to evaluate the electrical parameters and compared the results.The current conduction mechanism at different voltage regions of I-V has also been investigated.The variation of 1/C versus voltage signifies linearity at high frequency(1 MHz),indicating that the type of heterojunction can be abrupt.The experimental outcomes of this study revealed that the performance of heterojunction diode in dark is considerably good as compared to the ilumination condition with respect to the lower values of Фp,n,R,and interface state density(Nss).
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文献信息
| 篇名 | Investigation of Illumination Effects on the Electrical Properties of Au/GO/p-lnP Heterojunction with a Graphene Oxide Interlayer | ||
| 来源期刊 | 纳米制造与计量(英文) | 学科 | 工学 |
| 关键词 | Electrical propertics Heterojunction diode Graphene oxide I-V and C-V techniques Interface state density Ideality factor | ||
| 年，卷（期） | 2020,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 269-281 | |
| 页数 | 13页 | 分类号 | TN3 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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Electrical
propertics
Heterojunction
diode
Graphene
oxide
I-V
and
C-V
techniques
Interface
state
density
Ideality
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期刊影响力
纳米制造与计量（英文）
主办单位：
天津大学
国际纳米制造学会(ISNM)
Springer-Nature出版集团
出版周期：
季刊
ISSN：
2520-811X
CN：
12-1463/TB
开本：
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