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柔性忆阻器研究进展
柔性忆阻器研究进展
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摘要：
柔性电子器件是未来功能化集成电子发展的方向之一,其中用于信息存储及处理的高性能柔性存储器是重要的组成部分。忆阻器(resistive random access memory,ReRAM)因其超快运行速度、微缩性好及功耗低等优点,成为最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。主要总结了忆阻器发展历程、电阻转变物理机制、以及柔性忆阻器的研究进展。通过对比不同介质层柔性忆阻器在阻变转换耐久性和弯曲疲劳耐久性的差异,系统讨论分析了影响柔性忆阻器性能的原因。
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蛋白质
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忆阻器
非线性
综述
存储器
内容分析
关键词云
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引文网络
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
柔性器件
存储器
柔性忆阻器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子与智能制造
主办单位：
北京方略信息科技有限公司
北京市电子科技情报研究所
出版周期：
季刊
ISSN：
2096-658X
CN：
10-1594/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市东城区北河沿大街79号
邮发代号：
创刊时间：
2019
语种：
chi
出版文献量（篇）
162
总下载数（次）
8
总被引数（次）
19
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