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摘要:
随着便携式电子产品的不断推出,低功耗电路设计已成为一种趋势,而将MOS管偏置在弱反型区是模拟电路低功耗设计的主要方法。本文研究了电路偏置在弱反型区时器件噪声和失调产生的影响,并且提出了改善电路噪声和失调特性的方案。
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文献信息
篇名 弱反型MOS电路的噪声和失调研究
来源期刊 高职论丛 学科 工学
关键词 弱反型 噪声 失调
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 7-12
页数 6页 分类号 TN43
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1 瞿江峰 7 7 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
弱反型
噪声
失调
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高职论丛
季刊
16开
2005
chi
出版文献量(篇)
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