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金属氧化物半导体气敏机理探析
金属氧化物半导体气敏机理探析
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摘要：
讨论了金属氧化物半导体表面的气-气、气-固反应及其相应的电子过程,建立了分析气敏作用机理的理论模型,并提出了改进传感器性能的指导性意见.
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研究起点
研究来源
研究分支
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主办单位：
西安理工大学
出版周期：
季刊
ISSN：
1006-4710
CN：
61-1294/N
开本：
大16开
出版地：
西安市金花南路5号
邮发代号：
创刊时间：
1978
语种：
chi
出版文献量（篇）
2223
总下载数（次）
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